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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPD050N03L G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252

内部编号

173-IPD050N03L-G

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

数量:949
1+¥2.9279
25+¥2.6967
100+¥2.6197
500+¥2.5427
1000+¥2.3885
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:115
5+¥4.294
125+¥3.4675
500+¥3.4295
2500+¥3.3915
12500+¥3.363
最小起订量:5
英国伦敦
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#3

数量:2350
5+¥4.294
125+¥3.4675
500+¥3.4295
2500+¥3.3915
12500+¥3.363
最小起订量:5
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPD050N03L G产品详细规格

规格书 IPD050N03L G datasheet 规格书
IPD050N03L G datasheet 规格书
IP(D,F,S,U)050N03L G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 50A
Rds(最大)@ ID,VGS 5 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 31nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3200pF @ 15V
功率 - 最大 68W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3TO-252
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 50 A
RDS -于 5@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 6.7 ns
典型上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型下降时间 3.8 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
P( TOT ) 68W
匹配代码 IPD050N03L G
R( THJC ) 2.2K/W
LogicLevel YES
单位包 2500
标准的提前期 100 weeks
最小起订量 2500
Q(克) 20nC
LLRDS (上) 0.0073Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 4.5V
我(D ) 50A
V( DS ) 30V
技术 OptiMOS
的RDS(on ) at10V 0.005Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 50A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.2V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 PG-TO252-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 5 mOhm @ 30A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 68W
输入电容(Ciss ) @ VDS 3200pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 31nC @ 10V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IPD050N03LGINCT
类别 DC/DC Converter, SMPS
渠道类型 N
配置 Single
外形尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm
身高 2.41mm
长度 6.73mm
最大漏源电阻 7.3 mΩ
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 68 W
最低工作温度 -55 °C
每个芯片的元件数 1
包装类型 PG-TO-252-3-11
引脚数 3
典型栅极电荷@ VGS 15 nC V @ 0 → 4.5
典型输入电容@ VDS 2400 pF V @ 15
宽度 6.22mm
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 50 A
系列 IPD050N03
RDS(ON) 5 mOhms
功率耗散 68 W
商品名 OptiMOS
封装/外壳 TO-252
零件号别名 IPD050N03LGATMA1 SP000680630
上升时间 13 ns
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 3.8 ns

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