规格书 |
IP(D,F,S,U)050N03L G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 50A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 31nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3200pF @ 15V |
功率 - 最大 | 68W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3TO-252 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 30 V |
最大连续漏极电流 | 50 A |
RDS -于 | 5@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 6.7 ns |
典型上升时间 | 13 ns |
典型关闭延迟时间 | 25 ns |
典型下降时间 | 3.8 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
P( TOT ) | 68W |
匹配代码 | IPD050N03L G |
R( THJC ) | 2.2K/W |
LogicLevel | YES |
单位包 | 2500 |
标准的提前期 | 100 weeks |
最小起订量 | 2500 |
Q(克) | 20nC |
LLRDS (上) | 0.0073Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | 4.5V |
我(D ) | 50A |
V( DS ) | 30V |
技术 | OptiMOS |
的RDS(on ) at10V | 0.005Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 50A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 5 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 68W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3200pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 31nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IPD050N03LGINCT |
类别 | DC/DC Converter, SMPS |
渠道类型 | N |
配置 | Single |
外形尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm |
身高 | 2.41mm |
长度 | 6.73mm |
最大漏源电阻 | 7.3 mΩ |
最高工作温度 | +175 °C |
最大功率耗散 | 68 W |
最低工作温度 | -55 °C |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装类型 | PG-TO-252-3-11 |
引脚数 | 3 |
典型栅极电荷@ VGS | 15 nC V @ 0 → 4.5 |
典型输入电容@ VDS | 2400 pF V @ 15 |
宽度 | 6.22mm |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 50 A |
系列 | IPD050N03 |
RDS(ON) | 5 mOhms |
功率耗散 | 68 W |
商品名 | OptiMOS |
封装/外壳 | TO-252 |
零件号别名 | IPD050N03LGATMA1 SP000680630 |
上升时间 | 13 ns |
漏源击穿电压 | 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 3.8 ns |
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